ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.01 | Dhs. 7.01 |
| 15+ | Dhs. 6.79 | Dhs. 101.85 |
| 25+ | Dhs. 6.64 | Dhs. 166.00 |
| 50+ | Dhs. 6.27 | Dhs. 313.50 |
| 100+ | Dhs. 5.54 | Dhs. 554.00 |
| N+ | Dhs. 1.11 | Price Inquiry |
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IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 16 Mbit
Le circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR de 16 Mbits hautes performances d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est conçu pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable avec connectivité série. Ce composant industriel offre deux modes d'interface (SPI et QPI), permettant une intégration flexible dans les applications automobiles, IoT, de contrôle industriel et d'informatique embarquée.
Caractéristiques techniques clés
- Capacité mémoire : 16 Mbit (organisation 2M x 8)
- Interface : modes SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Fréquence d'horloge : fréquence de fonctionnement maximale de 104 MHz
- Temps d'accès : Accès rapide de 7 ns pour des performances réactives
- Tension d'alimentation : 1,65 V à 1,95 V (fonctionnement à faible consommation)
- Température de fonctionnement : Qualité industrielle -40 °C à 85 °C (TA)
- Boîtier : Boîtier compact SOIC 8 broches pour montage en surface (largeur 3,90 mm)
- Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
Avantages de l'application
Cette solution PSRAM combine la densité de la DRAM et la simplicité de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de cycles de rafraîchissement tout en préservant les caractéristiques de la mémoire volatile. L'interface double SPI/QPI offre une évolutivité de la bande passante, permettant aux concepteurs d'optimiser le nombre de broches (mode SPI) ou le débit (mode QPI) en fonction des exigences du système.
Qualité et authenticité
En tant que distributeur agréé, HQICKEY garantit l'authenticité à 100 % des composants ISSI, leur traçabilité complète, les garanties du fabricant et un support technique tout au long du cycle de vie. Chaque unité est conforme à la directive RoHS et provient directement de chaînes d'approvisionnement vérifiées, assurant ainsi une fiabilité optimale pour les applications critiques.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI, QPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR.pdf