ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.02 | Dhs. 8.02 |
| 15+ | Dhs. 7.76 | Dhs. 116.40 |
| 25+ | Dhs. 7.59 | Dhs. 189.75 |
| 50+ | Dhs. 7.17 | Dhs. 358.50 |
| 100+ | Dhs. 6.32 | Dhs. 632.00 |
| N+ | Dhs. 1.26 | Price Inquiry |
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IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR - Mémoire SRAM pseudo haute performance de 32 Mbits
La puce IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM pseudo (PSRAM) haute performance de 32 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface série simple. Ce circuit intégré de mémoire avancé combine la haute densité de la DRAM avec la simplicité d'utilisation de la SRAM, éliminant ainsi le besoin de circuits de rafraîchissement complexes tout en offrant des performances exceptionnelles pour les applications industrielles et commerciales.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 32 Mbits : organisée en 4 M x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
- Prise en charge de deux interfaces : les interfaces SPI et QPI (Quad SPI) permettent une intégration flexible et un transfert de données à haut débit jusqu'à 104 MHz.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 7 ns garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : sa température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements industriels difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 3,90 mm) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux objets connectés, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, à l'instrumentation portable, aux équipements d'acquisition de données et à toute application nécessitant une mémoire volatile fiable avec connectivité série. Sa haute densité, ses performances rapides et sa faible consommation d'énergie en font un excellent choix pour les systèmes embarqués de nouvelle génération.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI, QPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

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