ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.02 | Dhs. 8.02 |
| 15+ | Dhs. 7.76 | Dhs. 116.40 |
| 25+ | Dhs. 7.59 | Dhs. 189.75 |
| 50+ | Dhs. 7.17 | Dhs. 358.50 |
| 100+ | Dhs. 6.32 | Dhs. 632.00 |
| N+ | Dhs. 1.26 | Price Inquiry |
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IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 32 Mbit
Le circuit intégré IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) haute performance de 32 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, dotée d'une interface série simple. Ce composant industriel combine la densité de la DRAM à la simplicité d'utilisation de la SRAM, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint dans les domaines de l'automatisation industrielle, de l'IoT, des systèmes automobiles et des plateformes informatiques embarquées.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 32 Mbits – L’organisation 4M x 8 offre un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon des données, l’exécution du code et le stockage temporaire des données.
- Prise en charge de deux interfaces : les interfaces SPI et QPI (Quad SPI) offrent des options d’intégration flexibles avec un débit maximal de 104 MHz.
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation - La plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet des conceptions économes en énergie
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 7 ns garantit des performances système réactives.
- Boîtier compact – Boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 3,90 mm) minimisant l'encombrement sur le circuit imprimé
- Conforme à la norme RoHS – Respectueux de l’environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le modèle IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR est parfaitement adapté pour :
- Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- Équipements médicaux et dispositifs de diagnostic
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées et SBC
- Systèmes d'acquisition et d'enregistrement de données
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI, QPI |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |

IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR.pdf