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25+ Dhs. 8.19 Dhs. 204.75
50+ Dhs. 7.74 Dhs. 387.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS66WVS8M8FALL-104NLI - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré IS66WVS8M8FALL-104NLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface SPI simple. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle combine les performances à haute vitesse de la SRAM avec la haute densité et le faible nombre de broches de la DRAM, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et de l'Internet des objets (IoT).

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Interface d'E/S quadruple SPI flexible : réduit le nombre de broches tout en maintenant un débit élevé, simplifiant la conception des circuits imprimés et réduisant les coûts du système.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 8 Mbits x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon, la mise en cache et le stockage temporaire des données.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V assure la compatibilité avec les systèmes modernes basse consommation et prolonge la durée de vie de la batterie.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, garantissant des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le format SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur la carte dans les conceptions compactes.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Applications d'infodivertissement et de systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Équipement de télécommunications
  • Dispositifs et passerelles IoT en périphérie
  • Instrumentation médicale
  • Systèmes aérospatiaux et de défense

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste gamme de circuits intégrés de mémoire comprend des solutions SRAM, DRAM, PSRAM, Flash et EEPROM provenant des plus grands fabricants mondiaux. Nous garantissons des composants authentiques, des prix compétitifs et un support technique expert pour vous aider à choisir la solution de mémoire la mieux adaptée à votre application.

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