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25+ Dhs. 8.19 Dhs. 204.75
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 104 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS66WVS8M8FBLL-104NLI - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré de mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) IS66WVS8M8FBLL-104NLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme de 64 Mbits conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant un accès aux données à haute vitesse et une fiabilité exceptionnelle. Cette solution de mémoire volatile est dotée d'une interface d'E/S quadruple SPI avancée, offrant des performances supérieures pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle, médicales et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 104 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Architecture mémoire flexible : capacité de 64 Mbits organisée en 8 M x 8, optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Interface avancée : l’interface SPI Quad E/S réduit le nombre de broches tout en maximisant le débit pour les conceptions à espace limité.
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet de s’adapter à diverses architectures système.
  • Format compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 3,90 mm) idéal pour les circuits imprimés haute densité.
  • Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré PSRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, l'instrumentation médicale, les équipements de télécommunications et les dispositifs IoT périphériques où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

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