IXYS IXDF502SIAT/R

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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant IXYS
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Configuration pilotée Côté bas
Type de canal Indépendant
Nombre de conducteurs 2
Type de porte IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 30 V
Tension logique - VIL, VIH 0,8 V, 3 V
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 2A, 2A
Type d'entrée Inverseur, non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap) -
Temps de montée/descente (Typ) 7,5 ns, 6,5 ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC

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