IXYS IXDF504SIAT/R

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel $0.85
Prix habituel $0.89 Prix promotionnel $0.85
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 $0.85 $0.85
15+ $0.82 $12.30
25+ $0.80 $20.00
50+ $0.76 $38.00
100+ $0.67 $67.00
N+ $0.13 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant IXYS
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Configuration pilotée Côté bas
Type de canal Indépendant
Nombre de conducteurs 2
Type de porte IGBT, MOSFET (canal N, canal P)
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 30 V
Tension logique - VIL, VIH 0,8 V, 3 V
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 4A, 4A
Type d'entrée Inverseur, non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap) -
Temps de montée/descente (Typ) 9 ns, 8 ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC

No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.