Micron Technology Inc. JS28F128J3F75B TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.94 | Dhs. 17.94 |
| 15+ | Dhs. 17.37 | Dhs. 260.55 |
| 25+ | Dhs. 16.99 | Dhs. 424.75 |
| 50+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 802.50 |
| 100+ | Dhs. 14.16 | Dhs. 1,416.00 |
| N+ | Dhs. 2.83 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR StrataFlash™ Micron JS28F128J3F75B TR - 128 Mbit
Le JS28F128J3F75B TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable avec un accès parallèle rapide.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité 128 Mbit/s : organisation flexible 16 M x 8 ou 8 M x 16 pour une intégration système polyvalente
- Temps d'accès rapide de 75 ns : performances de lecture rapides pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire mappée pour une intégration transparente au processeur
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Boîtier CMS 56-TSOP : Boîtier compact idéal pour les circuits imprimés haute densité
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Idéal pour le stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et de la mémoire de programme dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les infrastructures de télécommunications et les systèmes aérospatiaux nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons des composants Micron 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de certificats de traçabilité et d'une disponibilité à long terme, afin de soutenir vos programmes critiques et d'atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | StrataFlash™ |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16 m x 8, 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 75ns |
| Temps d'accès | 75 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 56-TSOP |
| RoHS |  |
JS28F128J3F75B TR.pdf