Mémoire Flash NOR haute fiabilité Micron StrataFlash™ JS28F640J3D75B
Le JS28F640J3D75B est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle 64 Mbit hautes performances de la gamme StrataFlash™ de Micron Technology. Conçu pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications, ce composant offre un stockage non volatil fiable avec un temps d'accès de 75 ns et une organisation mémoire flexible (8 Mbit x 8 ou 4 Mbit x 16). Fonctionnant sur une large plage de températures (-40 °C à 85 °C) avec une faible tension d'alimentation (2,7 V à 3,6 V), il garantit des performances constantes même dans les environnements les plus exigeants. Conditionné en bande et bobine (TR) avec une configuration de montage en surface TSOP 56, ce circuit intégré conforme à la directive RoHS prend en charge les programmes à long cycle de vie et offre une traçabilité complète pour une intégration en toute confiance.
Spécifications techniques complètes
JS28F640J3D75B TR.pdf