STMicroelectronics M29F080D70M6

Mémoire Flash NOR parallèle 8 Mbit STMicroelectronics M29F080D70M6

La M29F080D70M6 est une mémoire flash NOR parallèle haute performance de 8 Mbits (1M x 8) de STMicroelectronics, conçue pour le stockage fiable de données non volatiles dans les systèmes embarqués, les applications industrielles et l'électronique automobile. Avec un temps d'accès rapide de 70 ns et une large plage de températures de fonctionnement (de -40 °C à 85 °C), ce circuit intégré de mémoire flash offre des performances fiables même dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages :

• Capacité de stockage de 8 Mbit : l’organisation de la mémoire en 8 Mo (1 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le stockage du firmware, des données de configuration et du code.
• Temps d'accès rapide de 70 ns : des opérations de lecture rapides garantissent des performances système réactives.
• Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une conception de système flexible
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité même dans des conditions difficiles.
• Boîtier CMS : boîtier SOIC 44 broches pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications :

Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux, l'électronique grand public et tout système embarqué nécessitant un stockage fiable et non volatil de programmes ou de données.

Spécifications techniques complètes :

• M29F080D70M6.pdf