Micron Technology Inc. M29W160EB70ZA6F TR

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Mémoire flash NOR parallèle Micron M29W160EB70ZA6F TR - 16 Mbit

La mémoire Flash NOR M29W160EB70ZA6F TR de Micron Technology est un circuit intégré haute performance de 16 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash à interface parallèle offre des temps d'accès rapides de 70 ns et fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,7 V à 3,6 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes alimentés par batterie et les systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 16 Mbits : organisée en 2M x 8 ou 1M x 16 pour des configurations de stockage de données flexibles.
  • Temps d'accès rapide de 70 ns : permet des opérations de lecture rapides pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
  • Interface parallèle : Permet une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet des conceptions écoénergétiques.
  • Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface : son format compact de 6 x 8 mm permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de microprogrammes embarqués, au code BIOS, aux données de configuration et au code de démarrage dans les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les dispositifs médicaux où l'exécution fiable du code et la conservation des données sont essentielles.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2 m x 8, 1 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY