Micron Technology Inc. M29W400DB70N6T TR

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La mémoire Flash NOR M29W400DB70N6T TR de Micron Technology Inc. est un dispositif haute performance de 4 Mbits conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash à interface parallèle offre des options d'organisation flexibles (512 Ko x 8 ou 256 Ko x 16) avec un temps d'accès rapide de 70 ns, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles, automobiles et IoT.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire Flash NOR 4 Mbit avec deux modes d'organisation
  • Temps d'accès rapide de 70 ns pour une récupération rapide des données
  • Large plage de tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
  • Plage de température étendue : -40 °C à 85 °C
  • Boîtier TSOP I 48 broches pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale

Spécifications techniques :

Applications :

  • Stockage du micrologiciel du système embarqué
  • Systèmes de contrôle industriels
  • électronique automobile
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • Équipement de communication
  • Instrumentation médicale

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Produits et ressources associés :

Tous nos produits sont accompagnés d'un certificat d'authenticité et bénéficient de notre engagement envers la qualité et la disponibilité à long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8, 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY