Micron Technology Inc. M29W640GT70ZA6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.68 | Dhs. 7.68 |
| 15+ | Dhs. 7.44 | Dhs. 111.60 |
| 25+ | Dhs. 7.28 | Dhs. 182.00 |
| 50+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 344.00 |
| 100+ | Dhs. 6.07 | Dhs. 607.00 |
| N+ | Dhs. 1.21 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR parallèle Micron M29W640GT70ZA6F TR - 64 Mbit
Le M29W640GT70ZA6F TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle 64 Mbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant authentique offre un stockage non volatil fiable avec un temps d'accès rapide de 70 ns et des options d'organisation de mémoire flexibles.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 64 Mbit : La double organisation de la mémoire (8 M x 8 ou 4 M x 16) offre une flexibilité pour diverses architectures système.
- Temps d'accès rapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec divers systèmes d’alimentation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact 48-TFBGA : sa conception compacte de montage en surface (6 x 8 mm) optimise l’espace sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/de démarrage, à la conservation des données de configuration, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications et aux dispositifs médicaux nécessitant une persistance des données à long terme.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 8 m, 4 m x 16 m |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
M29W640GT70ZA6F TR.pdf