Micron Technology Inc. M29W640GT7AN6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.18 | Dhs. 9.18 |
| 15+ | Dhs. 8.90 | Dhs. 133.50 |
| 25+ | Dhs. 8.70 | Dhs. 217.50 |
| 50+ | Dhs. 8.22 | Dhs. 411.00 |
| 100+ | Dhs. 7.25 | Dhs. 725.00 |
| N+ | Dhs. 1.45 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR haute performance Micron M29W640GT7AN6F TR - 64 Mbit
La mémoire flash NOR parallèle M29W640GT7AN6F TR de Micron Technology est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués critiques. Offrant un temps d'accès rapide de 70 ns et une organisation mémoire flexible de 8 Mbit x 8 ou 4 Mbit x 16, ce composant fournit un stockage non volatil fiable pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications.
Conçue pour résister aux environnements extrêmes avec une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C, cette mémoire flash à montage en surface est conditionnée dans un boîtier compact 48-TSOP I et fonctionne sous une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V. Son conditionnement en bande et bobine garantit un assemblage automatisé efficace pour une production en grande série.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 8 m, 4 m x 16 m |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP I |
| RoHS |  |
M29W640GT7AN6F TR.pdf