Micron Technology Inc. M29W800DB70N6T TR

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M29W800DB70N6T TR - Mémoire Flash NOR haute performance de 8 Mbit

La mémoire Flash NOR M29W800DB70N6T TR de Micron Technology est un composant haut de gamme de 8 Mbits, conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'un temps d'accès de 70 ns et d'une interface parallèle, cette mémoire Flash CMS offre un stockage non volatil fiable et une organisation flexible (1 Mbit x 8 ou 512 Kbit x 16) pour s'adapter à diverses architectures système. Fonctionnant dans une plage de températures industrielles de -40 °C à 85 °C avec une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V, la M29W800DB70N6T TR garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles. Conditionnée au format TSOP I 48 broches et livrée en bande et bobine pour l'assemblage automatisé, cette mémoire conforme à la directive RoHS est idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et les systèmes embarqués à long cycle de vie nécessitant des solutions semi-conducteurs authentiques et traçables.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 8, 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY