STMicroelectronics M34D64-WMN6T
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.62 | Dhs. 2.62 |
| 15+ | Dhs. 2.55 | Dhs. 38.25 |
| 25+ | Dhs. 2.49 | Dhs. 62.25 |
| 50+ | Dhs. 2.35 | Dhs. 117.50 |
| 100+ | Dhs. 2.08 | Dhs. 208.00 |
| N+ | Dhs. 0.42 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Taille de la mémoire | 64 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 8K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 400 kHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 5 ms |
| Temps d'accès | 900 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
STMicroelectronics M34D64-WMN6T - Circuit intégré de mémoire EEPROM I2C 64 Kbits
Le M34D64-WMN6T de STMicroelectronics est une mémoire EEPROM 64 Kbits haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués. Ce circuit intégré de mémoire non volatile dispose d'une interface I2C pour une intégration aisée et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 2,5 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour divers environnements d'alimentation.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 64 Kbits : organisée en 8 Ko x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d’étalonnage et les paramètres système.
- Interface I2C : Interface série à deux fils standard avec une fréquence d'horloge de 400 kHz pour un transfert de données efficace
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements difficiles.
- Cycle d'écriture rapide : temps d'écriture de page de 5 ms et temps d'accès de 900 ns pour des performances réactives.
- Boîtier CMS : Boîtier SOIC 8 broches compact (largeur de 3,90 mm) pour des circuits imprimés peu encombrants.
Applications
Cette mémoire EEPROM est idéale pour stocker des données critiques dans l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public, les dispositifs médicaux et les applications IoT où la conservation de la mémoire non volatile est essentielle.
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Spécifications techniques
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