STMicroelectronics M34E02-FMB1TG

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Prix habituel Dhs. 2.51
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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 2.51 Dhs. 2.51
15+ Dhs. 2.45 Dhs. 36.75
25+ Dhs. 2.39 Dhs. 59.75
50+ Dhs. 2.26 Dhs. 113.00
100+ Dhs. 2.00 Dhs. 200.00
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant STMicroelectronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 2Kbit
Organisation de la mémoire 256 x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 400 kHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès 900 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-UFDFPN (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

La M34E02-FMB1TG est une EEPROM I2C 2 Kbits hautes performances de STMicroelectronics, conçue pour le stockage non volatil de données fiables dans les systèmes embarqués et les applications industrielles. Ce composant compact à montage en surface (8-UFDFN) dispose d'une organisation mémoire 256 x 8 avec interface I2C et fonctionne à des fréquences d'horloge jusqu'à 400 kHz.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire EEPROM de 2 Kbits avec une organisation de 256 x 8
  • Interface série I2C pour une intégration facile
  • Large plage de tension d'alimentation : 1,7 V à 3,6 V
  • Fréquence d'horloge rapide de 400 kHz
  • Faible consommation d'énergie, idéale pour les appareils alimentés par batterie
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C
  • Boîtier compact pour montage en surface 8-UFDFN (2x3 mm)
  • Cycle d'écriture de 5 ms pour un stockage de données efficace
  • Temps d'accès de 900 ns pour une récupération rapide des données

Applications : Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique grand public, les objets connectés et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable.

Spécifications techniques

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