RAMXEED MB85RC04PNF-G-JNE1

RAMXEED MB85RC04PNF-G-JNE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 4 Kbits hautes performances

Le MB85RC04PNF-G-JNE1 est un dispositif de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) 4Kbit de pointe de RAMXEED, conçu pour offrir des performances exceptionnelles pour les applications industrielles et embarquées nécessitant une mémoire non volatile avec des vitesses d'écriture ultra-rapides et une endurance pratiquement illimitée.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM supérieure : combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant des opérations d'écriture instantanées sans risque d'usure.
• Interface I2C haute vitesse : la fréquence d’horloge de 400 kHz permet un transfert de données rapide et une intégration système aisée.
• Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 900 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 8 boîtiers SOIC/8 boîtiers SOP optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
• Endurance quasi illimitée : 10 000 milliards (10^13) de cycles de lecture/écriture – idéale pour l’enregistrement de données et les mises à jour fréquentes.
• Faible consommation d'énergie : sa conception écoénergétique prolonge la durée de vie de la batterie dans les applications portables.

Applications idéales

Idéal pour l'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux, les systèmes automobiles, les capteurs IoT, les enregistreurs de données et toute application nécessitant un stockage non volatil fiable avec une endurance en écriture élevée.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la FRAM plutôt que la mémoire traditionnelle ?

Contrairement aux mémoires EEPROM et Flash qui se dégradent après des milliers de cycles d'écriture, la technologie FRAM offre des écritures quasi instantanées, sans délai, sans effacement de page et avec une endurance exceptionnelle. Le MB85RC04PNF-G-JNE1 s'impose ainsi comme le choix idéal pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données et une fiabilité à long terme.

Qualité et conformité

Ce produit est conforme à la directive RoHS et répond aux normes environnementales internationales relatives aux composants électroniques. RAMXEED applique un contrôle qualité rigoureux afin de garantir des performances et une fiabilité constantes.

Explorez davantage de solutions de mémoire

Vous recherchez des composants de mémoire supplémentaires ? Parcourez notre collection complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire comprenant des solutions EEPROM, Flash, DRAM, SRAM et FRAM des principaux fabricants.

Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs haut de gamme pour applications industrielles et embarquées.

Restez informé(e) des dernières nouveautés produits, des analyses techniques et des tendances du secteur en consultant notre blog Actualités et Techniques .

• MB85RC04PNF-G-JNE1.pdf