RAMXEED MB85RC128APNF-G-AMERE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.28 | Dhs. 8.28 |
| 15+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 120.45 |
| 25+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 196.50 |
| 50+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 371.00 |
| 100+ | Dhs. 6.55 | Dhs. 655.00 |
| N+ | Dhs. 1.31 | Price Inquiry |
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MB85RC128APNF-G-AMERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 128 kbits
La puce MB85RC128APNF-G-AMERE2 est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haute performance de 128 kilobits fabriquée par RAMXEED. Cette solution de mémoire avancée combine les avantages du stockage non volatil avec la vitesse et l'endurance de la RAM, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un enregistrement fréquent des données, le stockage de la configuration et la conservation des données critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 128 kbits – Stockage suffisant pour les configurations de systèmes embarqués et l'enregistrement de données.
- Technologie FRAM - Mémoire non volatile avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^14 cycles)
- Performances d'écriture rapides : aucun délai d'écriture par rapport aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles.
- Faible consommation d'énergie - Fonctionnement écoénergétique idéal pour les appareils alimentés par batterie
- Interface I2C - Communication série standard pour une intégration facile
- Fiabilité de niveau industriel - Conçu pour les applications exigeantes des secteurs automobile, aérospatial et industriel
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Stockage de données pour l'électronique automobile et les calculateurs
- Configuration des dispositifs médicaux et enregistrement des événements
- Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
- applications aérospatiales et de défense
- Dispositifs IoT nécessitant un stockage non volatil fiable
Pourquoi choisir la technologie FRAM ?
Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles, la technologie FRAM offre des opérations d'écriture instantanées sans cycle d'effacement, prolongeant considérablement la durée de vie de vos systèmes embarqués. Avec une endurance en écriture supérieure à 10 000 milliards de cycles et une rétention des données de plus de 10 ans, la MB85RC128APNF-G-AMERE2 offre une fiabilité inégalée pour les applications critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | - |
| Format de mémoire | - |
| Technologie | - |
| Taille de la mémoire | - |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | - |
| Emballage / Étui | - |
| Emballage du dispositif du fournisseur | - |
| RoHS |  |
MB85RC128APNF-G-AMERE2.pdf