RAMXEED MB85RC256TYPN-G-AWEWE1

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 14.61
Prix habituel Dhs. 15.36 Prix promotionnel Dhs. 14.61
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 14.61 Dhs. 14.61
15+ Dhs. 14.13 Dhs. 211.95
25+ Dhs. 13.82 Dhs. 345.50
50+ Dhs. 13.06 Dhs. 653.00
100+ Dhs. 11.52 Dhs. 1,152.00
N+ Dhs. 2.30 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

RAMXEED MB85RC256TYPN-G-AWEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits

Le MB85RC256TYPN-G-AWEWE1 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 256 kbits de RAMXEED, conçu pour les applications exigeant un stockage de données rapide et non volatil, ainsi qu'une endurance exceptionnelle. Cette solution de mémoire à interface I2C offre des performances fiables sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Technologie FRAM non volatile : combine la vitesse de la RAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹³ cycles).
  • Temps d'accès rapide : temps d'accès de 130 ns avec une fréquence d'horloge I2C de 3,4 MHz pour une récupération rapide des données.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les applications automobiles, industrielles et aérospatiales.
  • Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 1,8 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
  • Boîtier compact pour montage en surface : 8-VDFN (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour une gestion thermique efficace
  • Qualité RAMXEED authentique : Produit d'origine constructeur avec traçabilité et documentation complètes

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les systèmes automobiles et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance en écriture élevée.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité : Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d’une traçabilité intégrale. Conforme à la directive RoHS pour une responsabilité environnementale.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 3,4 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 130 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-VDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-DFN (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY