RAMXEED MB85RC512LYPNF-GS-BCERE1

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15+ Dhs. 13.58 Dhs. 203.70
25+ Dhs. 13.28 Dhs. 332.00
50+ Dhs. 12.55 Dhs. 627.50
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Le MB85RC512LYPNF-GS-BCERE1 est un circuit intégré FRAM (mémoire vive ferroélectrique) haute performance de 512 kbits de RAMXEED, conçu pour les applications critiques exigeant une mémoire non volatile offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Ce composant est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications, où l'intégrité des données et la disponibilité sur un long cycle de vie sont primordiales.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire FRAM de 512 Kbits offrant une endurance en écriture supérieure
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage de production automatisé
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Documentation complète de traçabilité et d'assurance qualité
  • Adapté aux applications intégrées avec assistance technique

Spécifications techniques :

Ressources connexes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire -
Format de mémoire -
Technologie -
Taille de la mémoire -
Organisation de la mémoire -
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation -
Température de fonctionnement -
Grade -
Qualification -
Type de montage -
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur -
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