RAMXEED MB85RC512TYPN-G-AWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 19.11 | Dhs. 19.11 |
| 15+ | Dhs. 18.51 | Dhs. 277.65 |
| 25+ | Dhs. 18.11 | Dhs. 452.75 |
| 50+ | Dhs. 17.10 | Dhs. 855.00 |
| 100+ | Dhs. 15.09 | Dhs. 1,509.00 |
| N+ | Dhs. 3.02 | Price Inquiry |
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RAMXEED MB85RC512TYPN-G-AWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance de 512 kbits
La MB85RC512TYPN-G-AWE1 est une mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) de 512 Kbits (64 K x 8) dotée d'une interface I2C et offrant des performances exceptionnelles. Cette mémoire non volatile fonctionne à 3,4 MHz avec un temps d'accès rapide de 130 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle et de télécommunications exigeant une conservation fiable des données et une grande endurance. Fonctionnant sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C, avec une tension d'alimentation de 1,8 V à 3,6 V, ce boîtier CMS 8-DFN garantit des performances robustes même dans les environnements les plus exigeants. Conforme à la directive RoHS, elle est accompagnée d'une documentation complète du fabricant et d'une traçabilité assurée.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RC512TYPN-G-AWE1.pdf