RAMXEED MB85RC512TYPN-G-AWEWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 18.36 | Dhs. 18.36 |
| 15+ | Dhs. 17.78 | Dhs. 266.70 |
| 25+ | Dhs. 17.40 | Dhs. 435.00 |
| 50+ | Dhs. 16.43 | Dhs. 821.50 |
| 100+ | Dhs. 14.50 | Dhs. 1,450.00 |
| N+ | Dhs. 2.90 | Price Inquiry |
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La puce mémoire non volatile FRAM (Ferroelectric RAM) MB85RC512TYPN-G-AWEWE1 de RAMXEED offre des performances élevées. D'une capacité de 512 kbits, elle est dotée d'une interface I2C pour une intégration simplifiée. Avec une organisation de 64 Ko x 8, une fréquence d'horloge de 3,4 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 130 ns, cette FRAM garantit des performances optimales pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications. Fonctionnant dans une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C, avec une tension d'alimentation de 1,8 V à 3,6 V, la MB85RC512TYPN-G-AWEWE1 offre une fiabilité et une endurance exceptionnelles. Disponible en boîtier CMS 8-VDFN (5 x 6) avec conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage automatisé, elle bénéficie d'une documentation complète du fabricant et du support d'un distributeur agréé.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RC512TYPN-G-AWEWE1.pdf