RAMXEED MB85RS128TYPNF-GS-BCE1

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RAMXEED MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance de 128 kbits

Le MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 128 kbits haut de gamme de RAMXEED, conçu pour les systèmes embarqués critiques nécessitant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des performances d'écriture ultra-rapides. Cette solution de mémoire de qualité industrielle combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et médicales.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de mémoire FRAM de 128 Kbit (16 K x 8) avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles)
  • Interface SPI haute vitesse prenant en charge une fréquence d'horloge jusqu'à 33 MHz pour un accès rapide aux données
  • Un temps d'accès ultra-rapide de 13 ns élimine les délais d'écriture courants dans les mémoires Flash et EEPROM.
  • Large plage de tension de fonctionnement : de 1,8 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
  • Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 125 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Le boîtier compact 8-SOIC à montage en surface (largeur de 3,90 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Faible consommation d'énergie, idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.

Spécifications techniques :

Applications :

  • Enregistrement de données et enregistreurs de vol pour l'aérospatiale et la défense
  • Enregistrement des paramètres et des événements du calculateur moteur automobile
  • Automatisation industrielle et mémoire de configuration des automates programmables
  • stockage des données patient et des étalonnages des dispositifs médicaux
  • Configuration et enregistrement des équipements de télécommunications
  • Systèmes de comptage intelligent et de gestion de l'énergie

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la technologie FRAM offre des opérations d'écriture instantanées sans délai, une endurance quasi illimitée et une rétention des données supérieure. La carte MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 fournit un stockage non volatil fiable et rapide pour les systèmes exigeants en termes de performances et de longévité.

Produits et ressources associés :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 128 kbits
Organisation de la mémoire 16K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 33 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 13 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP