RAMXEED MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2

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15+ Dhs. 16.54 Dhs. 248.10
25+ Dhs. 16.18 Dhs. 404.50
50+ Dhs. 15.28 Dhs. 764.00
100+ Dhs. 13.49 Dhs. 1,349.00
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MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 - Mémoire FRAM haute performance de 2 Mbit

La mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 de RAMXEED est une solution de mémoire haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les applications industrielles exigeant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette FRAM à interface SPI offre des performances supérieures aux technologies de mémoire EEPROM et Flash traditionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'écriture ultra-rapides : un cycle d'écriture de 400 µs avec un temps d'accès de 9 ns élimine les délais d'écriture.
  • Endurance exceptionnelle : la technologie FRAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10^14 cycles).
  • Fonctionnement à faible consommation : large plage de tension (1,7 V à 3,6 V) pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Interface SPI haute vitesse : fréquence d'horloge de 40 MHz pour un transfert de données rapide
  • Boîtier compact pour montage en surface : conception 8-SOIC peu encombrante pour les circuits imprimés à forte densité.

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et toute application nécessitant des mises à jour fréquentes de la mémoire non volatile sans risque d'usure.

Spécifications techniques

Conforme à la directive RoHS : Ce produit respecte les normes environnementales relatives aux substances réglementées.

Bénéficiant de l'assurance qualité et du support technique de RAMXEED, le MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 offre la fiabilité et les performances exigées par vos applications critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 40 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 400 µs
Temps d'accès 9 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY