RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 44.47
Prix habituel Dhs. 46.79 Prix promotionnel Dhs. 44.47
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 44.47 Dhs. 44.47
15+ Dhs. 43.05 Dhs. 645.75
25+ Dhs. 42.11 Dhs. 1,052.75
50+ Dhs. 39.77 Dhs. 1,988.50
100+ Dhs. 35.09 Dhs. 3,509.00
N+ Dhs. 7.02 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 4 Mbit

Solution de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) haute performance de 4 Mbit avec interface SPI, conçue pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec une endurance exceptionnelle.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire de 4 Mbit : organisation 512 Ko x 8 pour une gestion flexible des données
  • Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI de 50 MHz
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 125 °C pour les environnements exigeants.
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V
  • Boîtier de montage en surface : 8-VDFN à pastille exposée / 8-DFN (5x6)
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance d'écriture illimitée et une capacité d'écriture instantanée.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 50 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 9 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-VDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-DFN (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY