NXP USA Inc. MGD3160AM535EKT

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant NXP USA Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Configuration pilotée Côté haut
Type de canal Célibataire
Nombre de conducteurs 1
Type de porte IGBT, MOSFET SiC
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 40 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 15A, 15A
Type d'entrée Non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap) -
Temps de montée/descente (Typ) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSSOP (0,295", largeur 7,50 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY