NXP USA Inc. MR2A16ATS35CR
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 76.57 | Dhs. 76.57 |
| 15+ | Dhs. 74.17 | Dhs. 1,112.55 |
| 25+ | Dhs. 72.56 | Dhs. 1,814.00 |
| 50+ | Dhs. 68.53 | Dhs. 3,426.50 |
| 100+ | Dhs. 60.47 | Dhs. 6,047.00 |
| N+ | Dhs. 12.09 | Price Inquiry |
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Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | BÉLIER |
| Technologie | MRAM (RAM magnétorésistive) |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
MR2A16ATS35CR.pdf
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