Rohm Semiconductor MR44V064BMAZAATL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.48 | Dhs. 9.48 |
| 15+ | Dhs. 9.16 | Dhs. 137.40 |
| 25+ | Dhs. 8.96 | Dhs. 224.00 |
| 50+ | Dhs. 8.47 | Dhs. 423.50 |
| 100+ | Dhs. 7.47 | Dhs. 747.00 |
| N+ | Dhs. 1.49 | Price Inquiry |
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Rohm Semiconductor MR44V064BMAZAATL - Mémoire FRAM haute performance de 64 Kbits
La MR44V064BMAZAATL de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 64 kbits de pointe, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une consommation d'énergie ultra-faible.
Principales caractéristiques et avantages :
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 130 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Interface I2C : Protocole I2C standard avec une fréquence d'horloge de 3,4 MHz pour une intégration transparente
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, idéale pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 1,8 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système.
- Boîtier compact : Le boîtier SOIC 8 broches à montage en surface (largeur de 3,90 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Haute fiabilité : la technologie FRAM offre 10 billions de cycles d'écriture et une conservation des données de 10 ans
Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un enregistrement fréquent des données, le stockage de la configuration ou des mises à jour de paramètres en temps réel, sans les limitations d'usure des mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 64 kbits |
| Organisation de la mémoire | 8K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
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