Rohm Semiconductor MR44V100AMAZAATL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.80 | Dhs. 11.80 |
| 15+ | Dhs. 11.44 | Dhs. 171.60 |
| 25+ | Dhs. 11.20 | Dhs. 280.00 |
| 50+ | Dhs. 10.57 | Dhs. 528.50 |
| 100+ | Dhs. 9.33 | Dhs. 933.00 |
| N+ | Dhs. 1.87 | Price Inquiry |
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MR44V100AMAZAATL - Circuit intégré de mémoire FRAM 1 Mbit
La MR44V100AMAZAATL de Rohm Semiconductor est une mémoire FRAM (mémoire vive ferroélectrique) haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil offrant une endurance et une vitesse exceptionnelles. Cette solution de mémoire avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour les systèmes automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Endurance supérieure : la technologie FRAM offre 10 billions (10^13) de cycles de lecture/écriture, surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
- Performances d'écriture rapides : temps d'accès de 130 ns sans délai d'écriture ; les données sont écrites à la vitesse du bus.
- Faible consommation d'énergie : besoins en énergie nettement inférieurs à ceux des mémoires Flash et EEPROM lors des opérations d'écriture
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Interface flexible : interface I2C avec une fréquence d’horloge de 3,4 MHz pour une intégration facile
- Conservation instantanée des données : stockage non volatil sans batterie de secours requise
Applications typiques
Cette mémoire FRAM est conçue pour les systèmes à haute fiabilité, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux, les enregistreurs de données et l'instrumentation aérospatiale, où l'intégrité et la durabilité des données sont primordiales.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
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