Rohm Semiconductor MR45V100AMAZAATL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.95 | Dhs. 14.95 |
| 15+ | Dhs. 14.47 | Dhs. 217.05 |
| 25+ | Dhs. 14.16 | Dhs. 354.00 |
| 50+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 668.50 |
| 100+ | Dhs. 11.80 | Dhs. 1,180.00 |
| N+ | Dhs. 2.36 | Price Inquiry |
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MR45V100AMAZAATL - Circuit intégré de mémoire FRAM 1 Mbit
Le MR45V100AMAZAATL de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 1 Mbit, conçu pour les applications exigeant un stockage de données non volatiles, une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Ce dispositif FRAM combine les avantages des performances d'une mémoire RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui le rend idéal pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications.
Caractéristiques principales
- Mémoire FRAM 1 Mbit (128 Ko x 8) - Technologie ferroélectrique non volatile
- Interface SPI - Interface périphérique série standard pour une intégration facile
- Fréquence d'horloge de 40 MHz - Accès aux données et vitesses de transfert rapides
- Large plage de tension : 1,8 V à 3,6 V – Compatible avec les systèmes basse consommation modernes
- Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C – Convient aux environnements difficiles
- Boîtier CMS 8-SOP - Conception compacte pour cartes électroniques compactes
- Conforme à la directive RoHS - Respecte les normes environnementales
Applications
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et systèmes ADAS
- Dispositifs et instruments médicaux
- Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Enregistrement des données et des événements
Pourquoi choisir la technologie FRAM ?
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) offre une endurance en écriture supérieure (10^14 cycles), une vitesse d'écriture instantanée et une consommation d'énergie ultra-faible par rapport aux mémoires EEPROM et Flash traditionnelles. Avec des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités et sans délai d'écriture, la FRAM est le choix idéal pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données et une fiabilité à long terme.
Spécifications techniques complètes
Traçabilité complète et conformité RoHS/REACH garanties. Tous les produits proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'un support tout au long de leur cycle de vie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 40 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
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