Rohm Semiconductor MSM5117400F-60J3-7

MSM5117400F-60J3-7 - Circuit intégré de mémoire DRAM haute performance de 16 Mbit

Le MSM5117400F-60J3-7 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire DRAM haute performance de 16 Mbits, doté d'une architecture 4M x 4 et d'une interface parallèle. Avec un temps d'accès rapide de 30 ns et un temps de cycle d'écriture de 110 ns, cette solution de mémoire volatile est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant un stockage de données fiable et rapide.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 16 Mbit (organisation 4M x 4)
• Temps d'accès rapide : 30 ns pour une récupération rapide des données
• Interface parallèle : transfert de données efficace
• Tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V
• Plage de température : 0 °C à 70 °C (TA)
• Temps de cycle d'écriture : 110 ns
• Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement

Applications :

Ce circuit intégré DRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile et au remplacement des systèmes existants où une mémoire parallèle fiable est essentielle.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

• Composants semi-conducteurs Rohm 100 % authentiques
• Documentation complète du fabricant et traçabilité
• Assistance à la disponibilité tout au long du cycle de vie
• Expédition internationale par canaux autorisés
• Assistance technique à la conception disponible

• MSM5117400F-60J3-7.pdf