Rohm Semiconductor MSM5117400F-60T3-K-7
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.46 | Dhs. 17.46 |
| 15+ | Dhs. 16.89 | Dhs. 253.35 |
| 25+ | Dhs. 16.52 | Dhs. 413.00 |
| 50+ | Dhs. 15.61 | Dhs. 780.50 |
| 100+ | Dhs. 13.77 | Dhs. 1,377.00 |
| N+ | Dhs. 2.75 | Price Inquiry |
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MSM5117400F-60T3-K-7 - Circuit intégré de mémoire DRAM parallèle 16 Mbit
Le MSM5117400F-60T3-K-7 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire DRAM haute performance de 16 Mbits, doté d'une architecture 4M x 4 et d'une interface parallèle. Il est conçu pour les applications industrielles, de télécommunications et de systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile fiable et des temps d'accès rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 16 Mbits : l’organisation 4M x 4 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
- Temps d'accès rapide de 30 ns : garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
- Cycle d'écriture de 110 ns : optimisé pour les opérations de lecture/écriture à haute vitesse
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances fiables
- Boîtier CMS : 26 boîtiers SMD (KBU) pour une intégration efficace sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications
Idéal pour les équipements de télécommunications, les contrôleurs industriels, les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, les mises à niveau des systèmes existants et les applications aérospatiales/de défense nécessitant un support à long terme.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons des composants Rohm Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Rohm Semiconductor |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | DRACHME |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 4 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 110 ns |
| Temps d'accès | 30 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 26-SMD |
| Emballage du dispositif du fournisseur | KBU |
| RoHS |  |
MSM5117400F-60T3-K-7.pdf