Micron Technology Inc. MT41K256M4DA-107:J TR

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Micron MT41K256M4DA-107:J TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 de qualité industrielle

Le MT41K256M4DA-107:J TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute fiabilité conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un support de cycle de vie long et des performances exceptionnelles.

Principales caractéristiques techniques

  • Capacité mémoire : 1 Gbit de mémoire SDRAM DDR3 avec une organisation de 256 Mo x 4
  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz, temps d’accès de 20 ns
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements difficiles
  • Conception basse consommation : tension d’alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Boîtier compact : montage en surface 78-TFBGA (8 x 10,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
  • Conformité : Conforme à la directive RoHS en matière de sécurité environnementale et de conformité réglementaire

Applications cibles

Cette mémoire SDRAM DDR3 de qualité industrielle est idéale pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes de contrôle industriel et automatisation des usines
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Plateformes informatiques embarquées
  • Applications réseau et serveur nécessitant un cycle de vie étendu

Pourquoi choisir notre distribution ?

En tant que distributeur agréé Micron, nous garantissons :

  • Composants 100% authentiques avec traçabilité complète du fabricant
  • Documentation technique complète et fiches techniques
  • certification de conformité RoHS/REACH
  • Engagement de disponibilité à long terme pour les projets sensibles au cycle de vie
  • Emballage et manutention d'origine du fabricant
  • Expédition internationale avec assistance à la conformité transfrontalière

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 4
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY