Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.82 | Dhs. 16.82 |
| 15+ | Dhs. 16.30 | Dhs. 244.50 |
| 25+ | Dhs. 15.95 | Dhs. 398.75 |
| 50+ | Dhs. 15.06 | Dhs. 753.00 |
| 100+ | Dhs. 13.29 | Dhs. 1,329.00 |
| N+ | Dhs. 2.66 | Price Inquiry |
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Micron MT41K512M8RH-107:E TR - Mémoire SDRAM DDR3L haute performance
Le MT41K512M8RH-107:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3L 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 512M x 8 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 933 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps d’accès de 20 ns pour un traitement rapide des données
- Faible consommation d'énergie : Technologie DDR3L avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Large plage de températures : 0 °C à 95 °C (TC) de température de fonctionnement pour les applications industrielles
- Boîtier compact : boîtier CMS 78-TFBGA (9 x 10,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Distribution autorisée : traçabilité complète, assistance tout au long du cycle de vie et ressources d’intégration disponibles
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM DDR3L est idéale pour :
- Systèmes informatiques embarqués
- Automatisation et contrôle industriels
- Infrastructure de télécommunications
- équipement de diagnostic médical
- électronique automobile
- Systèmes aérospatiaux et de défense
Qualité et conformité
Conforme à la directive RoHS. Disponible avec documentation complète, certificats de traçabilité et engagement sur le cycle de vie. Contactez-nous pour obtenir de l'aide à la conception, les spécifications techniques et les tarifs dégressifs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (9x10,5) |
| RoHS |

MT41K512M8RH-107:E TR.pdf