Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107:E TR

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15+ Dhs. 16.30 Dhs. 244.50
25+ Dhs. 15.95 Dhs. 398.75
50+ Dhs. 15.06 Dhs. 753.00
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Micron MT41K512M8RH-107:E TR - Mémoire SDRAM DDR3L haute performance

Le MT41K512M8RH-107:E TR de Micron Technology est un composant mémoire SDRAM DDR3L 4 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Ce circuit intégré mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 512M x 8 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 933 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps d’accès de 20 ns pour un traitement rapide des données
  • Faible consommation d'énergie : Technologie DDR3L avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Large plage de températures : 0 °C à 95 °C (TC) de température de fonctionnement pour les applications industrielles
  • Boîtier compact : boîtier CMS 78-TFBGA (9 x 10,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Distribution autorisée : traçabilité complète, assistance tout au long du cycle de vie et ressources d’intégration disponibles

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM DDR3L est idéale pour :

  • Systèmes informatiques embarqués
  • Automatisation et contrôle industriels
  • Infrastructure de télécommunications
  • équipement de diagnostic médical
  • électronique automobile
  • Systèmes aérospatiaux et de défense

Qualité et conformité

Conforme à la directive RoHS. Disponible avec documentation complète, certificats de traçabilité et engagement sur le cycle de vie. Contactez-nous pour obtenir de l'aide à la conception, les spécifications techniques et les tarifs dégressifs.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (9x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY