Micron Technology Inc. MT45W2MW16BAFB-708 WT

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15+ Dhs. 13.72 Dhs. 205.80
25+ Dhs. 13.42 Dhs. 335.50
50+ Dhs. 12.67 Dhs. 633.50
100+ Dhs. 11.18 Dhs. 1,118.00
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La mémoire PSRAM Micron MT45W2MW16BAFB-708 WT est un circuit intégré de 32 Mbits hautes performances conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire PSRAM à interface parallèle dispose d'une organisation 2M x 16, d'un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -30 °C à 85 °C.

Conçu pour les applications exigeant une mémoire volatile haute fiabilité et une simplicité comparable à celle de la SRAM, ce composant offre des performances constantes même dans les environnements les plus exigeants. Son boîtier compact 54 VFBGA (6x9) pour montage en surface optimise l'espace sur la carte tout en conservant des caractéristiques électriques robustes avec une plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V.

En tant que distributeur agréé, HQICKEY assure une traçabilité complète, une documentation de conformité RoHS/REACH et une disponibilité tout au long du cycle de vie pour accompagner vos conceptions critiques, du prototype à la production.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Boîte |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-VFBGA (6x9)