Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-8

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Micron MT48H4M16LFF4-8 - SDRAM LPSDR mobile 64 Mbit

La MT48H4M16LFF4-8 de Micron Technology est une mémoire DRAM synchrone basse consommation (SDRAM) 64 Mbits hautes performances, conçue pour les applications mobiles et embarquées à faible consommation. Dotée d'une organisation mémoire 4M x 16 et fonctionnant à 125 MHz, cette SDRAM offre des performances fiables et une faible consommation (tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V).

Caractéristiques principales :

  • Conception basse consommation : optimisée pour les applications mobiles fonctionnant sous une tension de 1,7 à 1,9 V.
  • Haute vitesse : fréquence d’horloge de 125 MHz avec un temps d’accès de 6 ns
  • Boîtier compact : boîtier CMS 54-VFBGA (8x8)
  • Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile

Applications :

Idéal pour les appareils mobiles, l'électronique portable, les systèmes embarqués, les équipements de télécommunications et autres applications à faible consommation d'énergie nécessitant des performances de mémoire fiables et rapides.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Boîte | Boîte
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPSDR mobile
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 125 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-VFBGA (8x8)