Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $124.53 | $124.53 |
| 15+ | $28.64 | $429.60 |
| 25+ | $28.02 | $700.50 |
| 50+ | $26.46 | $1,323.00 |
| 100+ | $23.35 | $2,335.00 |
| N+ | $4.67 | Price Inquiry |
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Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 32 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR.pdf
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