Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT:F TR

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50+ Dhs. 266.45 Dhs. 13,322.50
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Micron MT62F1G64D4EK-023 WT:F TR - Circuit intégré de mémoire DRAM haute densité

Circuit intégré DRAM 64 Gbits authentique de Micron Technology, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant provient de distributeurs agréés et est accompagné d'une documentation complète du fabricant et d'une traçabilité totale.

Caractéristiques principales :

  • Fabricant : Micron Technology Inc.
  • Capacité mémoire : 64 Gbit DRAM
  • Type d'emballage : 441-TFBGA (bande et bobine)
  • Référence : MT62F1G64D4EK-023 Poids : F TR
  • Assurance qualité : Stock autorisé avec assistance complète du fabricant
  • Documentation : Fiches techniques complètes et certificats de conformité inclus

Applications :

Idéal pour les systèmes informatiques haute performance, les applications embarquées, les équipements de réseau et les systèmes de contrôle industriels critiques nécessitant des solutions de mémoire fiables et haute densité.

Spécifications techniques complètes

Garantie d'approvisionnement : Tous les composants proviennent de distributeurs agréés Micron, ce qui garantit leur authenticité, leur traçabilité complète et leur conformité aux normes industrielles. Garantie de longue durée de vie et assistance technique disponibles.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire -
Format de mémoire -
Technologie -
Taille de la mémoire -
Organisation de la mémoire -
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation -
Température de fonctionnement -
Grade -
Qualification -
Type de montage -
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur -

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