Macronix MX25U25643GZNI00

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Macronix
Gamme de produits MXSMIO™
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 64 m x 4, 128 m x 2, 256 m x 1
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 40 µs, 3 ms
Temps d'accès 8 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (6x5)

Macronix MX25U25643GZNI00 ​​- Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit

La mémoire Flash NOR MX25U25643GZNI00 ​​de Macronix est un circuit intégré haut de gamme de 256 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Appartenant à la célèbre gamme MXSMIO™, ce composant offre des performances exceptionnelles grâce à ses interfaces SPI Quad I/O et QPI, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications firmware dans des environnements exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 8 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : configurable en 64 Mo x 4, 128 Mo x 2 ou 256 Mo x 1 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
  • Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un débit et une compatibilité maximaux
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions fonctionnant sur batterie et à faible consommation énergétique.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Format compact : boîtier 8-WSON (6 x 5 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures
  • Cycles d'écriture rapides : des temps d'écriture de 40 µs par mot et de 3 ms par page optimisent l'efficacité de la programmation.

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels, aux objets connectés, aux équipements médicaux, aux périphériques réseau et à tout système embarqué exigeant une exécution de code fiable et une conservation optimale des données. La technologie SLC (Single-Level Cell) garantit une endurance et une intégrité des données supérieures pour les applications critiques.

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Spécifications techniques

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