onsemi N01L83W2AN25I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.03 | Dhs. 6.03 |
| 15+ | Dhs. 5.82 | Dhs. 87.30 |
| 25+ | Dhs. 5.70 | Dhs. 142.50 |
| 50+ | Dhs. 5.38 | Dhs. 269.00 |
| 100+ | Dhs. 4.75 | Dhs. 475.00 |
| N+ | Dhs. 0.95 | Price Inquiry |
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onsemi N01L83W2AN25I - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La N01L83W2AN25I d'onsemi est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 Mbit à haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, le contrôle industriel, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant une mémoire volatile rapide à faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 1 Mbit - Organisation 128K x 8 offrant un stockage de données flexible pour les applications de microcontrôleurs et de processeurs
- Temps d'accès rapide de 55 ns - Permet des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,3 V à 3,6 V, compatible avec les modèles fonctionnant sur batterie 3,3 V et basse consommation.
- Plage de températures industrielles - Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C, il garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle asynchrone - Intégration simple avec les microprocesseurs anciens et modernes sans synchronisation d'horloge
- Boîtier CMS - 32-LFSOP/32-STSOP : Boîtier optimisé pour l'assemblage automatisé et les circuits imprimés à espace restreint
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est idéale pour l'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et le stockage du firmware dans les systèmes embarqués où les alternatives non volatiles sont trop lentes ou trop gourmandes en énergie.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | onsemi |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-LFSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-sTSOP I |
N01L83W2AN25I.pdf