onsemi N02L83W2AN25I

onsemi N02L83W2AN25I - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbit

La N02L83W2AN25I d'onsemi est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 mégabits, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 8 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM offre des performances constantes sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Alimentation flexible : fonctionne de 2,3 V à 3,6 V, compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les architectures existantes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
• Boîtier CMS : 32-LFSOP/32-sTSOP | Boîtier optimisé pour l’assemblage automatisé
• Qualité authentique Onsemi : composants 100 % d’origine, assistance technique et support technique longue durée.

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est idéale pour les contrôleurs industriels, les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau, l'électronique automobile et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec accès parallèle.

Spécifications techniques complètes

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