onsemi N04L63W1AB27I
Prix habituel
Dhs. 14.95
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Prix promotionnel
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.95 | Dhs. 14.95 |
| 15+ | Dhs. 14.47 | Dhs. 217.05 |
| 25+ | Dhs. 14.16 | Dhs. 354.00 |
| 50+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 668.50 |
| 100+ | Dhs. 11.80 | Dhs. 1,180.00 |
| N+ | Dhs. 2.36 | Price Inquiry |
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onsemi N04L63W1AB27I - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
La N04L63W1AB27I d'onsemi est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 70 ns, cette SRAM CMS offre des performances constantes sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès haut débit : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : l’interface parallèle 256K x 16 prend en charge diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier compact : le boîtier CMS 48-LFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’onsemi en matière de disponibilité des produits
Applications idéales
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes aérospatiaux et toute application nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et non volatile avec une tolérance à la température étendue et une disponibilité à long terme.
Spécifications techniques complètes
Conforme aux normes RoHS/REACH | Traçabilité complète | Distributeur agréé
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | onsemi |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-LFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-BGA (6x8) |
N04L63W1AB27I.pdf
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