Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F TR

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Mémoire flash NOR haute performance Micron N25Q128A11ESE40F TR - 128 Mbit

La mémoire Flash NOR N25Q128A11ESE40F TR de Micron Technology offre une fiabilité de 128 Mbits et est conçue pour les applications embarquées critiques. Dotée d'une interface SPI haute vitesse avec une fréquence d'horloge de 108 MHz, cette mémoire de qualité industrielle garantit un accès rapide aux données et une fiabilité exceptionnelle pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 128 Mbits : une organisation de 32 Mo x 4 offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l’exécution du code.
  • Interface SPI haute vitesse : la fréquence d’horloge de 108 MHz permet un transfert de données rapide et une réactivité système optimale.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier SOIC 8 broches compact : sa conception pour montage en surface (5,30 mm de largeur) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Performances d'écriture rapides : des temps de cycle d'écriture de 8 ms par mot et de 5 ms par page accélèrent les opérations de programmation.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Idéal pour les systèmes de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et tout système embarqué nécessitant un stockage de code non volatil et la conservation des données.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 32M x 4
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 108 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 8 ms, 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SO
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY