Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFC0F TR

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Le N25Q128A13ESFC0F TR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit de Micron Technology Inc., conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Ce dispositif de mémoire à interface SPI offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 108 MHz et fonctionne dans une large plage de températures allant de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 128 Mbit (32 Mo x 4)
  • Interface SPI rapide avec une fréquence d'horloge de 108 MHz
  • Plage de tension d'alimentation étendue : 2,7 V à 3,6 V
  • Température de fonctionnement industrielle (-40°C à 85°C)
  • Boîtier SOIC 16 broches pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de micrologiciel dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des équipements de réseau et des objets connectés. Elle offre des temps de cycle d'écriture rapides (8 ms par mot, 5 ms par page) et une excellente fiabilité de conservation des données, qualités essentielles pour les applications critiques.

Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 32M x 4
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 108 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 8 ms, 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 16-SOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY