onsemi NCP5109BDR2G

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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant onsemi
Gamme de produits
Conditionnement Usine | Ruban découpé (CT)
Configuration pilotée Demi-pont
Type de canal Indépendant
Nombre de conducteurs 2
Type de porte IGBT, MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation 10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH 0,8 V, 2,3 V
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 250 mA, 500 mA
Type d'entrée Non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 200 V
Temps de montée/descente (Typ) 85 ns, 35 ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY