onsemi NCV5183DR2G
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Prix promotionnel
$3.36
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.36 | $3.36 |
| 15+ | $3.26 | $48.90 |
| 25+ | $3.19 | $79.75 |
| 50+ | $3.01 | $150.50 |
| 100+ | $2.66 | $266.00 |
| N+ | $0.53 | Price Inquiry |
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Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | onsemi |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Configuration pilotée | Demi-pont |
| Type de canal | Indépendant |
| Nombre de conducteurs | 2 |
| Type de porte | MOSFET (canal N) |
| Tension - Alimentation | 9V ~ 18V |
| Tension logique - VIL, VIH | 1,2 V, 2,5 V |
| Courant - Sortie de crête (Source, Puits) | 4.3A, 4.3A |
| Type d'entrée | Non-inverseur |
| Tension côté haut - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Temps de montée/descente (Typ) | 12 ns, 12 ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Grade | Automobile |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
NCV5183DR2G.pdf
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