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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société technologique Insignis
Gamme de produits NDS66P
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 4,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-FBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

NDS66PBA-20IT TR - Solution de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire NDS66PBA-20IT TR d'Insignis Technology Corporation offre des performances de mémoire volatile fiables pour les systèmes embarqués critiques. Cette mémoire SDRAM de 64 Mbits dispose d'une organisation 4M x 16 avec interface LVTTL, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz et offrant un temps d'accès remarquable de 4,5 ns. Conçue pour les applications industrielles exigeant une large plage de températures (-40 °C à 85 °C), cette mémoire CMS est conditionnée dans un boîtier compact 54-TFBGA (8 x 8) et est conforme à la directive RoHS pour la protection de l'environnement.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire SDRAM de 64 Mbits avec une organisation de 4M x 16
  • Fréquence d'horloge rapide de 200 MHz et temps d'accès de 4,5 ns
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C
  • Interface mémoire LVTTL pour une large compatibilité
  • Boîtier compact à montage en surface 54-TFBGA
  • Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales

Spécifications techniques

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