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1 Dhs. 41.66 Dhs. 41.66
15+ Dhs. 40.36 Dhs. 605.40
25+ Dhs. 39.48 Dhs. 987.00
50+ Dhs. 37.29 Dhs. 1,864.50
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Insignis NLX83PFS-6NIT TR - DRAM mobile LPDDR4X hautes performances

La mémoire NLX83PFS-6NIT TR d'Insignis Technology Corporation offre des performances fiables en mémoire DRAM mobile LPDDR4X 8 Gbit pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Conçue pour un cycle de vie étendu, elle bénéficie d'une traçabilité et d'une documentation complètes du fabricant.

Caractéristiques principales

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,6 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns
  • Architecture mémoire optimisée : capacité de 8 Gbit dans une organisation de 256 M x 32
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TC) pour les environnements industriels et automobiles
  • Conception basse consommation : double alimentation (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) pour applications mobiles
  • Boîtier standard : 200-WFBGA / 200-FBGA (10 × 14,5 mm) montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour les solutions FPGA haute densité dans les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels et les infrastructures de télécommunications nécessitant une disponibilité à long terme et un approvisionnement authentique en composants.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité

Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'engagements sur le long terme. Notre engagement porte sur des solutions FPGA authentiques et un support technique de qualité.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société technologique Insignis
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 8 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 32
Interface mémoire LVSTL
Fréquence d'horloge 1,6 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,5 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-WFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-FBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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