onsemi NM27C010N120

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La NM27C010N120 est une mémoire morte programmable et effaçable (EPROM) haute performance de 1 mégabit, conçue par onsemi pour les systèmes embarqués critiques et les applications industrielles. Cette mémoire non volatile offre une organisation de 128 Ko x 8 et un temps d'accès rapide de 120 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de télécommunications et médicales où la fiabilité et la conservation des données sont primordiales.

Basée sur la technologie EPROM OTP (One-Time Programmable) éprouvée, la NM27C010N120 offre une intégrité des données exceptionnelle et une capacité de stockage à long terme. Son interface mémoire parallèle assure la compatibilité avec les systèmes existants, tandis que son boîtier DIP 32 broches traversant garantit une grande robustesse mécanique, même dans les environnements les plus exigeants. Fonctionnant de 0 °C à 70 °C sous une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V, ce circuit intégré de mémoire offre des performances constantes dans diverses conditions industrielles.

Spécifications techniques :

Principales caractéristiques et avantages :

  • Stockage haute densité : capacité de 1 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 8 bits
  • Accès rapide : temps d’accès de 120 ns pour des performances système réactives.
  • Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour les applications critiques
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
  • Interface standard : interface mémoire parallèle pour une intégration facile
  • Boîtier robuste : Boîtier traversant 32 broches pour une durabilité mécanique accrue

Applications :

Le NM27C010N120 est parfaitement adapté au stockage du firmware, du code de démarrage, des tables de consultation et des données de configuration dans les systèmes embarqués des secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des équipements médicaux et des infrastructures de télécommunications.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant onsemi
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EPROM
Technologie EPROM - OTP
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 120 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage trou traversant
Emballage / Étui 32-DIP (0,600", 15,24 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-DIP